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陸廠擴產難解記憶體荒

陸廠雖擴產，但AI資料中心需求龐大，全球記憶體短缺格局仍難扭轉。

陸廠新增產能仍難扭轉全球記記憶體供不應求格局，主因AI帶動的存儲市場需求過於龐大。圖／本報資料照片

陸AI與雲端資料中心，快速增加Enterprise SSD及高容量NAND需求，新增產能未必流向海外

04:10 2026/09/24 工商時報李娟萍

大陸兩大記憶體廠擴產動向

陸系兩大記憶體廠全面擴產，長鑫存儲（CXMT）DRAM月產能預計由目前約32萬片，一路拉升至2027年的42萬片；長江存儲（YMTC）武漢第三廠在2026年底啟動、2027年逐步爬坡，成為市場供給最大變數。

不過，法人認為，陸廠新增產能仍難扭轉全球供不應求格局，主因AI帶動的存儲市場需求過於龐大。

值得關注的是，陸兩大記憶體廠正打破過去「長鑫主攻DRAM、長江專攻NAND」的分工。長江存儲將跨入LPDDR5 DRAM，最快2026年底試產；長鑫則準備由DRAM跨足NAND Flash。

隨雙方產品版圖走向重疊，業界預期，最快2028年可能進入正面競爭，大陸記憶體產業將由擴產競賽，進一步走向技術、成本及專利攻防。

DRAM方面，長鑫除擴大產能，LPDDR5與DDR5占比亦持續提高，新增供給預料將優先滿足大陸PC、手機與伺服器市場，加上先進製程、良率及HBM能力與全球前三大DRAM原廠仍存在差距，短期主要效果，將是降低大陸對標準型DRAM的進口依賴，但不足以大幅增加全球高階DRAM有效供給。

NAND方面，長江存儲武漢第三廠2027年進入產能爬坡期，後續亦規畫新廠，但從廠房建置、設備進場、投片到良率提升，均需要時間。

大陸AI與雲端資料中心，也快速增加Enterprise SSD及高容量NAND需求，因此法人預期，新增產能未必能立即流向海外市場。

第二季原廠庫存以位元量計，已降至歷史低檔，新增供給又優先配置伺服器應用，使整體DRAM位元出貨僅溫和增加，部分PC及手機業者已提前數季下單，甚至重新調整產品設計，以因應可能延續數年的記憶體短缺。

業界指出，大陸擴產真正影響全球供需時間點可能落在2027年以後；若長鑫、長江跨界布局順利推進，2028年後競爭將從單純比產能，進一步延伸至先進製程、Hybrid Bonding、良率、成本及專利組合，成為全球記憶體產業下一階段的重要變數。