英飛凌與輝達合作開發800 VDC AI 資料中心的氮化鎵電源轉換系統

聯合報／ 記者簡永祥／台北即時報導

英飛凌今日宣布深化與輝達（NVIDIA） 合作，共同推動 AI 資料中心 800 VDC供電架構的發展。此次於輝達在德國柏林GTC開發者大會期間發布的合作進展，聚焦於高壓中繼匯流排轉換器（IBC）—AI 資料中心供電鏈中最關鍵、技術要求也最嚴苛的電源轉換級之一。英飛凌的氮化鎵（GaN）技術具備滿足此環節需求的優勢。此次合作延續雙方於去年5月首度宣布、並於去年10月進一步公布細節的共同開發工作；先前的合作重點為支援可維護、具備熱插拔功能的800 VDC伺服器機櫃。

英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 表示，AI正從根本上改變我們對電力基礎設施的需求，而半導體是解決這項挑戰的核心。以氮化鎵為基礎的系統解決方案，是下一代資料中心的重要推動力量。

在龐大AI工作負載驅動用電需求的推動下，資料中心已採用中繼匯流排架構：中繼匯流排轉換器將供應加速器板卡的主匯流排電壓降至較低電壓，使後級電源能有效產生AI處理器所需、電壓控制精準的核心電源與負載點 (PoL) 電源。這種多級轉換方式有助於降低配電損耗，同時滿足電路板面積、散熱限制及持續運作時間方面的嚴格要求。隨著AI基礎設施規模擴大，800 VDC正逐步導入AI資料中心，與現行的交流（AC）及較低電壓直流（DC）架構並行，成為支援更高運算密度的另一種配電選擇。

氮化鎵相當適用於滿足上述需求。與矽相比，氮化鎵功率元件能以更低的損耗實現顯著更快的切換速度，使 IBC 的切換頻率最高可達 1 MHz。這使得磁性元件及被動元件的尺寸得以大幅縮小，直接提升功率密度並降低電路板高度；對機櫃空間日益有限的AI資料中心而言，這是一項關鍵優勢。同時，氮化鎵的低導通損耗與低切換損耗有助於實現同級最佳的轉換效率，即使單一機櫃的功率持續朝百萬瓦（MW）等級攀升，仍有助於控制電力轉換損耗與發熱量，減輕散熱負擔。

除了 IBC，合作範圍也包括雙方於去年宣布的供電路徑保護解決方案，著重於熱插拔控制器功能等安全與維護需求，為未來的伺服器主機板導入800 VDC供電架構提供支援。

來源: 聯合新聞網 https://udn.com/news/story/7240/9830957