2奈米不是最狂？魏哲家驚曝「這新製程」 預告下一輪換代風暴

中時新聞網

編輯、 吳美觀 、文、先探投資週刊、周佳蓉

台積電2奈米製程比重快速拉升 (圖/先探投資週刊提供)

台積電法說會釋出擴廠也把德州納入考慮,而第三季營收成長幅度、毛利率表現、資本支出規劃與未來展望,持續奠定了在半導體界的絕對霸權。

台積電第三季法說不意外地,繳出營收與獲利雙雙新高的好成績,亮麗的財務數字,不僅展現出極強的定價能力,更為未來三年的資本支出與技術擴張提供了底氣。本次法說會上,台積電重申二○二六年資本支出為六○○億至六四○億美元,未來三年的資本支出強度將明顯高於過去三年,顯示對訂單能見度高度有信心。

面對全球AI浪潮,公司正全力發揮先進製程規模經濟,提到全球近二十座晶圓廠正在建置當中,未來數年台灣將有十三座,海外另有五~六座晶圓廠開出。二奈米家族去年第四季進入量產,在新竹、高雄分階段爬坡,相關年產能預期二七年翻倍,為支應三奈米長期需求,台積電另建三座新廠,分別在台灣、美國與日本,跨節點部分則把五奈米設備轉為支援三奈米。

海外建廠評估德州新據點

尤其是海外部分,美國亞利桑那州第二座晶圓廠已完成建廠並進入設備安裝,第三座新廠估最快二八年加入貢獻,優於先前目標,同時,董事長魏哲家證實已派團隊赴德州評估設廠,並針對全球首富馬斯克旗下Terafab(特斯拉、SpaceX合資晶圓廠)的合作展開討論,但底線堅持「由台積電親自營運」,確保技術與管理留在台積。

當需求快速上升,投資與產業界特別關心的是台積電的護城河究竟是不同節點、封裝與客戶時程靈活配置的能力?還是土地、設備的整合能力?十月法說給出的線索,從N2、A14一路延伸到 CoWoS、矽光子與High-NA EUV;不是一條單純的節點,而是多條技術支線同時往前跑。

在先進製程方面,台積電在N2首次由FinFET轉向 Nanosheet(GAA)架構,下一步A14將採用第二代奈米片與NanoFlex Pro技術,首度於二五年北美技術論壇提及的A14,預定二七年進入風險試產、二八年量產,並已在本次法說會證實,台積在今年四月的北美論壇進一步宣布A13、A12與N2U製程的推進時程,最快二八~二九年才會步入量產。

而在追求極致效能的A16(十六埃米)將是台積電第一個導入超級電軌(Super Power Rail)的技術節點。與傳統晶片將電源線與訊號線布線於正面不同,超級電軌將整個電源供應網絡轉移至矽晶圓背面,實現電路與訊號線的完美分離,該技術專為HPC/AI加速器打造,今年下半年生產就緒,但實際放量取決於客戶產品周期。其實,主要晶圓廠都已把背面供電(BSPDN)技術列為二奈米之後的必要技術,最早的是國際大廠Intel預計率先在20A製程中導入Power Via但後來取消、三星則計畫要到二七年二奈米SF2Z導入,時程較落後。法說會上,法人追問電力供應吃緊是否會讓更多客戶加速採用超級電軌,魏哲家答道「不會」,強調採用與否取決於產品需求,部分AI加速器可能採用,iPhone等手機產品則不需要。

相較A16,A14熱度更高。魏哲家觀察到A14的客戶參與度比二奈米活躍,並重申A14將比現有N2更受歡迎。營收結構顯示換代加速:二○二六年第一季,七奈米以下製程占營收七四%,其中五奈米占三六%仍是最大主力,三奈米占二五%;到第三季,七奈米以下升至七九%,三奈米以三三%躍居最大節點,五奈米降到二八%,七奈米占十%。二奈米從第二季才開始貢獻營收,第三季已達八%。若A14客戶參與比二奈米踴躍,下一輪換代力道可望更強。

大面積光罩競賽開始

在摩爾定律進程放緩之際,先進封裝已成為提升AI算力的關鍵戰場。台積電已量產五.五倍光罩尺寸的CoWoS,良率達九八%以上。光罩尺寸是以光刻設備單次曝光面積為基準,倍數越高,代表中介層面積越大,也凸顯CoWoS供需出現新變數,因為晶片廠商增加晶片堆疊與Chiplet促使台積電持續發展CoWoS-L等新架構,提升大型封裝的整合與量產能力,為了滿足客戶對整合更多邏輯晶粒與高頻寬記憶體(HBM)的需求,台積電正朝九倍尺寸開發,並規劃於二八年推出可整合多達二○個HBM的十四倍光罩尺寸 CoWoS,二九年則規劃推出大於十四倍的CoWoS與四十倍光罩尺寸的SoW-X互補。(全文未完)

來源: 中時新聞網 https://www.chinatimes.com/realtimenews/20261025000019-260410